차세대 GDDR6 메모리는 최대 20GB/s 의 오버클럭이 가능하다?

바쁘신 분들을 위한 요약

마이크론은 최신 연구 기사에서 GPU 메모리인 GDDR6 의 오버클럭 잠재력을 공개하였습니다. GDDR6 는 이미 많은 제조업체들이 대량 생산 상태에 들어갔으며, 최신 그래픽카드에 GDDR6 가 탑재됨을 기대할 수 있습니다.

마이크론은 이미 GDDR6 가 16.5GB/s 이상으로 속도를 끌어올리는 성능 측정을 결정하였습니다. 그 결과, I/O(입출력) 전압이 살짝은 올라갔지만, 메모리 칩은 JEDEC에서 정의한 14GB/s 보다 더욱 높은 20GB/s 의 높은 속도를 낼 수 있음을 입증하였습니다.

본문

마이크론은 최신 연구 기사에서 GPU 제조업체의 최신 그래픽카드에 장착될 GDDR6 메모리의 잠재력을 공개하였습니다. GDDR6 는 이미 여러 제조업체들이 대량 생산을 시작한 상태이며, 최신 그래픽카드에 GDDR6 가 장착되는 것을 기대할 수 있습니다.

마이크론 GDDR6 메모리 리서치 기사, 최대 잠재력 입증 - 20GB/s 가능?

연구 보고서에서 마이크론은 설계 변경, 채널 향상 및 성능 측정을 포함하는 GDDR6 메모리의 여러 측면에 대해 논의합니다. GDDR6 는 GDDR5 및 GDDR5X 메모리보다 진보적인 경로를 따르고 있지만, 전력을 절약하며 메모리 대역폭을 높이기 위해 기본 아키텍처에는 상당한 변화가 있습니다. 따라서, NVIDIA 의 차세대 지포스 제품군 라인과 같은 차세대 소비자 그래픽카드에 사용되는 VRAM 이 될 가능성이 높습니다.

마이크론은 이미 GDDR6 메모리가 16.5GB/s 이상의 속도로 끌어올리는 성능 측정을 결정하였습니다. 그 결과 입출력 (I/O) 전압이 약간 늘었지만, 메모리는 JEDEC 에서 정의한 14GB/s 보다 훨씬 높은 20GB/s 의 속도를 낼 수 있음을 입증하였습니다.

앞선 결과는 최대 DRAM 속도를 16.5GB/s 까지 높이는 반면, 메모리 어레이 자체의 타이밍 제한으로 인해 아키텍처의 전반적 성능은 제한될 수 있습니다. 이 GDDR6 인터페이스가 16.5GB/s 이상으로 확장될 수 있는지를 결정하기 위해, 장치는 메모리 어레이를 우회하는 동안 I/O 만 수행하는 작동 모드에 놓이게 됩니다.

오실로스코프 측정 결과에 따르면 메모리 어레이를 바이패싱할때, I/O 공급 전압이 작지만 도움이 되는 부스팅을 통해 Micron Technology, Inc. 사의 GDDR6 I/O 를 20GB/s 의 높은 속도로 끌어올릴 수 있음을 확인하였습니다.

우리의 경험으로 볼 때, GDDR5X 가 클럭을 높이는 방법을 사용하여 메모리 성능을 크게 향상시키는 것으로 나타났습니다. 기준 전압에서, GTX1080 을 사용하여 TiTAN XP 에서 제공되는 메모리와 동일한 클럭을 얻을 수 있었습니다. GDDR6 와 유사한 성능 확장을 원한다면, 다음 그래픽카드에서 20GB/s 오버클럭이 비슷한 성능을 제공할 수 있을 것입니다.

따라서, 우리는 20GB/s 의 클럭 상승으로 인한 성능 향상을 대충이나마 예상 가능합니다. 이러한 성능을 갖춘 256-Bit 그래픽카드는 TiTAN V 의 652.8GB/s(HBM2) 와 가까운 640GB/s 대역폭을 제공할 수 있을 것입니다. 384-Bit 그래픽카드는 NVIDIA 의 테슬라 V100 솔루션을 능가하는 약 960GB/s의 대역폭으로 거의 1TB/s에 근접하는 수치를 보여줍니다.

GPU 메모리 기술 업데이트: 

마이크론은 GDDR6 데이터 전송 속도가 JEDEC 에서 정의한 속도 이상으로 확장될 수 있을 것이라 확신하며, 차세대 게임용 그래픽카드에 볼 수 있는 오버클러킹 잠재력에 대한 힌트라고 확신합니다.

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